Sunday, January 19, 2025
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Samsung substitui chefe do chip em meio a preocupação com posição de liderança

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A Samsung disse na terça-feira que substituiu o chefe de sua divisão de chips – uma medida que reflete a ansiedade da empresa sobre seu domínio no mercado de semicondutores.

A gigante tecnológica sul-coreana disse que nomeou Jun Young-hyun como chefe da divisão Device Solutions (DS). A medida foi uma “medida preventiva” para fortalecer a competitividade futura dos seus semicondutores, explicou a Samsung.

Jun, ex-CEO da fabricante de baterias Samsung SDI e executivo sênior do negócio de memória da Samsung, deverá usar sua experiência para superar a “crise dos semicondutores”, acrescentou a empresa.

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O chefe cessante, Kyung Kye-hyun, que liderou a divisão DS por dois anos antes, continuará a chefiar o Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT), um cargo que é tradicionalmente reservado para ex-CEOs e chefes de divisão.

A substituição de um cargo tão importante pela Samsung em maio é altamente incomum, já que a convencionalidade anuncia sua remodelação executiva perto do final do ano. Embora a empresa não tenha entrado em detalhes sobre o que foi a crise dos semicondutores, ela provavelmente se refere à forte concorrência que seu negócio de memória, sua unidade de maior geração de lucros, está enfrentando.

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A Samsung ainda é a maior fabricante mundial de chips de memória, com uma ampla margem em relação às rivais SK Hynix e Micron. No entanto, ficou atrás da rival doméstica SK Hynix em memória de alta largura de banda (HBM), um chip que teve um aumento na demanda nos últimos dois anos devido ao boom da inteligência artificial (IA). O chip é considerado o novo gerador de crescimento para fabricantes de memória. SK Hynix é atualmente o maior fornecedor de HBM3E para a Nvidia em seus chips de IA.

A Samsung relatou um salto de 900% no lucro operacional no primeiro trimestre deste ano, mas isso não deve ter sido nada reconfortante, já que o aumento teve mais a ver com a natureza cíclica do mercado de chips de memória e sinaliza o início do ciclo de alta após dois anos de desaceleração.

Veterano de longa data da Samsung, Jun é conhecido como especialista em tecnologia dentro da gigante tecnológica sul-coreana e foi responsável por avanços importantes em DRAM e NAND para a empresa. Sua nomeação pode ser vista como um retorno ao básico do foco nos avanços tecnológicos para mãos confiáveis.

A HBM é composta por múltiplas matrizes DRAM empilhadas verticalmente, então o foco principal de Jun será diminuir a diferença na categoria de produtos para a SK Hynix e, ao longo dos anos, possivelmente derrubá-las. A Samsung anunciou que desenvolveu um HBM3E de 12 pilhas em fevereiro, à frente dos rivais.



source – www.zdnet.com

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