Cientistas da Universidade Estadual da Carolina do Norte desenvolveram o que tem sido considerado o Santo Graal do armazenamento e da memória do computador – memória “universal” que serve tanto como memória dinâmica de acesso aleatório quanto como armazenamento flash.
Usando transistores de efeito de campo de porta flutuante dupla, o esforço prototípico da equipe da NCSU permitirá que a memória alterne entre os modos estático e dinâmico em um único ciclo – sem que os dados se percam no meio. Isto se deve à segunda porta flutuante, que além de manter os bits prontos para serem lidos, também permitirá que eles sejam congelados no lugar quando uma tensão mais alta for aplicada. Quando a energia é desligada, ele mantém os dados no lugar como um flash.
[RELATED_ARTICLE]Esta combinação de tipos de memória volátil (DRAM) e não volátil (flash) em um único dispositivo unificado é definitivamente um avanço e pode levar a economias significativas de custos e energia de servidores para fabricantes e usuários domésticos, além do desempenho definitivo melhorias – onde a memória principal e o armazenamento são a mesma coisa.
Paul Franzon, um dos principais cientistas da equipe da NCSU, explicou o uso de duas portas flutuantes:
“Nosso dispositivo é chamado de transistor de efeito de campo (FET) de porta flutuante dupla. A memória não volátil existente usada em dispositivos de armazenamento de dados utiliza uma única porta flutuante, que armazena carga na porta flutuante para significar 1 ou 0 no dispositivo – ou um bit de informação… Ao usar duas portas flutuantes, o dispositivo pode armazenar um bit em um modo não volátil e/ou pode armazenar um bit em um modo rápido e volátil – como a memória principal normal do seu computador.”
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source – www.digit.in
