Thursday, September 16, 2021
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Cientistas fazem um avanço na memória com os revolucionários transistores de efeito de campo (FET) | Dígito

Cientistas da Universidade Estadual da Carolina do Norte desenvolveram o que tem sido considerado o santo graal do armazenamento e da memória do computador – memória “universal” que serve tanto como memória dinâmica de acesso aleatório quanto como armazenamento flash.

Usando transistores de efeito de campo de porta flutuante dupla, o esforço prototípico da equipe NCSU permitirá que a memória alterne entre os modos estático e dinâmico em um único ciclo – sem que os dados se percam no meio. Isso ocorre devido à segunda porta flutuante, que além de manter os bits em um estado pronto para serem lidos, também permitirá que eles sejam congelados no lugar quando uma tensão mais alta for aplicada. Quando a energia é desligada, ele retém os dados no lugar como o flash.

[RELATED_ARTICLE]Esta combinação de tipos de memória volátil (DRAM) e não volátil (flash) em um único dispositivo unificado é definitivamente um avanço e pode levar a custos significativos e economia de energia de servidores para fabricantes e usuários domésticos, além do desempenho definitivo melhorias – onde a memória principal e o armazenamento são um e o mesmo.

O Dr. Paul Franzon, um dos principais cientistas da equipe NCSU, explicou o uso de dois portões flutuantes:

“Nosso dispositivo é chamado de transistor de efeito de campo de porta flutuante dupla (FET). A memória não volátil existente usada em dispositivos de armazenamento de dados utiliza uma única porta flutuante, que armazena carga na porta flutuante para significar 1 ou 0 no dispositivo – ou um bit de informação … Usando duas portas flutuantes, o dispositivo pode armazenar um bit em um modo não volátil e / ou pode armazenar um bit em um modo rápido e volátil – como a memória principal normal de seu computador. “

Leia mais no resumo do NCSU, aqui.

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source – www.digit.in

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Manohar G
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