O Samsung Galaxy S23 FE está chegando no terceiro trimestre deste ano como o membro prático da série Galaxy S23, mas parece que não será unido em torno do mesmo chipset globalmente.
As execuções do Geekbench e as páginas oficiais de suporte revelam que o Galaxy S23 FE executará chipsets diferentes, dependendo do mercado. A variante global carregará o Exynos 2200 de 4 nm com 8 GB de RAM. Este é o mesmo chipset do Galaxy S22 Ultra e é criticado por ser menos eficiente em termos de energia do que seu par fabricado pela Qualcomm. A principal razão por trás da disparidade de eficiência foi o processo de fabricação de 4 nm da Samsung, que não era tão eficiente quanto o processo de 4 nm da TSMC.
O Samsung Galaxy S23 FE global
Aliás, a variante americana do Galaxy S23 FE será baseada exatamente nesse nó TSMC 4nm, cortesia do chipset Snapdragon 8+ Gen 1. Ele também será emparelhado com 8 GB de RAM.
A Qualcomm é geralmente vista como a melhor escolha, tanto que a Samsung até revelou um Galaxy S21 FE com Snapdragon 888 na Índia esta semana.
O Samsung Galaxy S23 FE dos EUA
Olhando além dos chipsets, o Galaxy S23 FE terá tela AMOLED de 6,4 polegadas e 120 Hz, bateria de 4.500 mAh com carregamento de 25 W e câmera principal de 50 MP.
source – www.gsmarena.com
