A Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) anunciou que seus chips fabricados no processo de fabricação de 3nm chegarão em 2023, e os feitos com o processo de 2nm serão lançados em 2025. No Simpósio de Tecnologia TSMC 2022, a fabricante de chips também anunciou uma nova tecnologia, FinFlex, que será usado para fazer os chipsets N3 e N3E. Diz-se que a tecnologia fornece aos fabricantes a versatilidade para oferecer alto desempenho, menor consumo de energia e densidade máxima de transistor com base nas opções de configuração de três aletas.
De acordo com o anúncio feito no simpósio, os chipsets feitos pela tecnologia N3, ou processo de fabricação de 3 nm, entrarão em produção em volume no final de 2022. O nó de 3 nm será lançado em cinco níveis: N3, N3E (Enhanced), N3P (Performance Enhanced ), N3S (Density Enhanced) e N3X (Ultra High Performance). Os chips N3 usarão a tecnologia de arquitetura FinFlex e serão oferecidos em três opções de configuração: 3-2 fin, 2-2 fin e 2-1 fin.
Comparação de configuração de desempenho e eficiência de energia do N3 com o N5Crédito da foto: TSMC
“Antes do TSMC N3 e do FinFlex, os designers de chips muitas vezes tinham que fazer escolhas difíceis entre velocidade, consumo de energia e densidade do chip”, disse a empresa. Diz-se que a nova metodologia “permite a otimização completa da biblioteca de design N3”, resultando em alto desempenho, computação eficiente e maximizando a densidade do transistor.
A configuração de 3-2 aletas é para quem deseja o mais alto desempenho, a configuração de 2-2 aletas oferece um equilíbrio entre desempenho, eficiência de energia e densidade. Por fim, a configuração de 2-1 aletas é para quem deseja grande eficiência de energia e maior densidade.
Chegando à tecnologia N2; os chipsets fabricados pelo processo de fabricação de 2nm estão programados para entrar em produção em 2025. Esses SoCs serão ainda mais poderosos e eficientes que os de 3nm. De acordo com o TSMC, os chips de 2 nm oferecerão 10-15% de melhoria de velocidade com a mesma potência ou 25-30% de redução de energia na mesma velocidade. A tecnologia contará com uma arquitetura de transistores de nanofolhas “para oferecer uma melhoria completa de nós em desempenho e eficiência de energia”. O N2 está programado para iniciar a produção em 2025.
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